概述

          隨著便攜式電子產(chǎn)品的迅速發(fā)展，印制電路板以高密度互連為主體，逐漸向微型化、高集成度和高可靠性的方向而發(fā)展，而PCB的精度、高密度、高可靠性與銅箔的厚度有關，銅箔越厚，除去線路殘銅的蝕刻時間就越長，側(cè)蝕現(xiàn)象也就越嚴重；當線路越精細時，側(cè)蝕現(xiàn)象也越明顯。如果選用厚度在10μm 以下的超薄銅箔，則可大幅度減少蝕刻時間，確保高精度蝕刻，因此對電解銅箔提的要求也隨之提高，使得電解銅箔的厚度逐漸向12μm、9μm、5μm、3μm、1.5μm 等超薄方向發(fā)展。

       載體銅箔是一種具有特殊結(jié)構(gòu)和功能的高端電子材料，核心結(jié)構(gòu)為"支撐層+剝離層+超薄銅箔"，超薄銅箔厚度≤3μm，主要用于高密度互連（HDI）板、芯片封裝基板、半導體制造等領域，是實現(xiàn)電子設備小型化、高性能化的關鍵基礎材料。

產(chǎn)品基本參數(shù)

載體銅箔的使用

       載體銅箔在應用于PCB 的線路制作中時，首先與樹脂基板進行壓合，通過其表面銅牙層與樹脂基板緊密結(jié)合后，將剝離層與載體銅箔層完全剝離除去后，得到表面純凈無殘留且與樹脂基板緊密結(jié)合的超薄銅箔產(chǎn)品，隨時可以進行下一步的線路制作加工。

載體銅箔制造工藝

       使用一定厚度12/18μm的電解銅箔作為陰極，然后在其表面直接進行銅的電沉積。主要分為3部分：載體箔、剝離層和極薄銅箔。載體箔提供支撐，保持銅箔在制備和運輸過程中的平整性；剝離層則位于載體箔和極薄銅箔之間，便于兩者的分離。極薄載體銅箔制備流程主要分為：載體箔制備、剝離層沉積、電沉積極薄以及后續(xù)處理。

行業(yè)應用

1、IC封裝基板（載板）

用于IC封裝載板中充當導電層和信號傳輸通道，連接芯片單元與PCB線路，確保電信號高效穩(wěn)定傳輸。是先進封裝（如mSAP工藝）的必需基材，支持芯片小型化、高密度集成，應用于AI大模型、高性能計算、存儲芯片等領域。

2. HDI高密度互連板

用于制造類載板（SLP）和高端PCB，滿足高頻通信（5G/6G）、高速服務器及物聯(lián)網(wǎng)設備的超細線路需求。低表面輪廓（Rz≈0.4-2.0μm）特性減少信號衰減，提升設備穩(wěn)定性和集成度。

關于設備

上海聯(lián)凈載體銅箔制造設備

1、載體層制造設備：

采用電解銅箔設備生產(chǎn)載體層，厚度為12μm或18μm。該設備以陰極輥為核心，通過直流電沉積工藝在鈦筒表面生成高精度銅箔。

冷擠壓鈦圈技術使晶粒度達12級（粒徑10μm），顯著優(yōu)化厚度均勻性與機械強度。

2. 剝離層與超薄銅箔層一體化沉積設備：

一體制造工藝：通過電化學沉積同步構(gòu)建剝離層和超薄銅箔層，避免分步加工導致的界面缺陷。剝離層厚度精準控制，確保高溫壓合后易剝離且無殘留。

超薄銅箔沉積技術：

■ 采用脈沖電化學沉積，生成1.5-3μm超薄銅層；

■ 微晶粗化層工藝技術，表面粗糙度Rz≤1.0μm，通過酸洗（H?SO?/H?O?溶液）、硅烷處理實現(xiàn)鏡面級光面；

■ 符合HVLP3銅箔核心指標，低信號損耗，滿足高頻高速PCB（如AI服務器、5G基站）對信號完整性和可靠性的嚴苛需求。

上海聯(lián)凈新型載體銅箔工藝也即將面世

• 聯(lián)系獲取相關技術方案